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Zeit | Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF: Meldungen vom 24.03.2020 |
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11:03 | Mehr Leistung für industrielle Hochfrequenzanwendungen: GaN-Hochfrequenztransistoren erreichen Rekord-Effizienz bei 100 Volt |
Zeit | Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF: Meldungen vom 24.03.2020 |
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11:03 | Mehr Leistung für industrielle Hochfrequenzanwendungen: GaN-Hochfrequenztransistoren erreichen Rekord-Effizienz bei 100 Volt |