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26.04.2018 – 07:00

Innodisk Corporation

Innodisk erreicht mit IoT-fähigem SODIMM und einer umfassenden Palette an sulfurierungshemmenden Funktionen einen gewaltigen Durchbruch in der DRAM-Forschung

Taipeh, Taiwan (ots/PRNewswire)

Das temperaturtolerante DDR4 2666 SODIMM in Industriequalität ist bereit für den Einsatz mit Edge-Geräten, während sulfurierungshemmende Maßnahmen für alle DDR4 Module implementiert werden.

Innodisk ergreift Maßnahmen zur Verbesserung seines DRAM-Portfolios, um mit der unablässigen Entwicklung des Internets der Dinge mithalten zu können und den Herausforderungen rauer Umgebungsbedingungen gewachsen zu sein. Die neue DDR4 2666 SODIMM-Serie bietet eine maßgeschneiderte Lösung für Edge-Geräte und kann aufgrund ihres Industriedesigns große Temperaturschwankungen bewältigen. Die Schwefelbelastung, die in vielen Industriebereichen augenscheinlich wird, stellt eine weitere besorgniserregende Tendenz dar. Durch die Implementierung umfangreicher Funktionen zur Sulfurierungshemmung in sämtlichen DDR4-Modulen versucht Innodisk dieser den Kampf anzusagen.

Edge-Computing zählt zu den integralen Konzepten des Internets der Dinge. Die On-Site-Vorrichtung ist für Analytik und Datenverarbeitung zuständig und kann so die Bandbreite zum zentralen Server verringern. Dennoch bedeutet dieses Ausgleichen der Rechenleistung eine Verlagerung zunehmend leistungsfähigerer Komponenten in entlegene Gebiete. Anwendungen wie Smart-City-Lösungen, petrochemische Einrichtungen oder Bergbauanlagen sind allesamt schwierigen Wetter- und Temperaturbedingungen sowie Schadstoffbelastungen ausgesetzt. Vor diesem Hintergrund kommt das hochzuverlässige 2666 MT/s DDR4 WT SODIMM zum Einsatz und macht das Internet der Dinge selbt unter rauesten und schwierigsten Umgebungsbedingungen möglich.

Sulfidgase stellen in derartigen Umgebungen einen weiteren Risikofaktor dar. Sie entstehen überwiegend durch Umweltverschmutzung, Bergbau oder Öl- und Gasförderaktivitäten und können sich schädigend auf DRAM-Module auswirken. Selbst in geringer Konzentration reagiert das Sulfid mit Silberlegierungen innerhalb der Chips und beeinträchtigt die Leistungsfähigkeit, was letztendlich zu Produktversagen führen kann. Berichten zufolge stellt Sulfurierung in Datenzentren, wo parallel zum Lufteinlass auch Schadstoffe aus der Umgebung angesaugt werden, ein schwerwiegendes Problem dar.

Samson Chang, VP der Global Embedded and Server DRAM Business Unit von Innodisk, erklärt: "Wir sind der Überzeugung, dass sulfurierungshemmende Maßnahmen angesichts der weltweit steigenden Umweltverschmutzung eine Notwendigkeit im Industrie- und Embedded-Bereich darstellen. Aufgrund dessen wird Innodisk ab Juni 2018 umfassende Anti-Sulfurierungs-Schutzvorkehrungen für sämtliche DDR4-Module einführen. Unser Ziel ist es, diese Handlungsweise zu einem neuen Standard werden zu lassen, um den besorgniserregenden Tendenzen gewachsen zu sein. Mit diesem Vorhaben wenden wir uns nicht nur den Herausforderungen unserer Kunden zu, sondern übertreffen gleichzeitig sämtliche Industrieerwartungen, wodurch unsere Rolle als weltweit führender DRAM-Anbieter weiter gefestigt wird."

Pressekontakt:

Yvonne Liu
Innodisk Corporation
+886 277033000 ext.1515
Yvonne_Liu@innodisk.com

Original-Content von: Innodisk Corporation, übermittelt durch news aktuell

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