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Neueste Verfahren für Mobilfunk-Chips bei Ericsson: "Shallow Trench Isolation" (STI)
Zusammenarbeit mit "Applied Materials", der Welt größtem Halbleitermaschinenhersteller

    Düsseldorf (ots) - Ericsson Microelectronics arbeitet mit Applied
Materials, dem weltgrößten Hersteller von Halbleiter-Wafer-Maschinen,
bei der Herstellung besonderer Isolationsstrukturen auf den 0,25- und
0,18-µm-Chips der Ericsson-Hochfrequenz-Bauteile zusammen.
Hochfrequenz-Bauteile sind die eigentlichen Sender und Empfänger der
Funksignale in einem Handy, im Gegensatz zum rechnergesteuerten
Ablauf im Gerät.
    
    Entwickelt wird eine Multisystem-Prozessmodul-Technik. Dabei
führen vorab integrierte Systemgruppen eine Prozessfolge bei der
Halbleiterherstellung aus. Die erzielten Isolationsstrukturen nutzen
sogenannte "Shallow Trench Isolation" (STI); "seichte Gräben" trennen
also die leitenden Elemente - die Transistoren - auf dem funkenden
Chip. Die neue STI-Modulprozesstechnik wird mehrere Verfahren von
Applied Materials in sich vereinen, so Silicon Etch DPS Plus Centura,
Ultima DHP-CVD Centura und Mirra Mesa CMP (DPS: Decoupled Plasma
Source; CMP: Chemical Mechanical Polishing; HDP-CVD: High Density
Plasma Chemical Vapor Deposition).
    
    Im Augenblick arbeiten die Prozessingenieure von Ericsson mit
Applied Materials in Santa Clara, Kalifornien, zusammen, um die
STI-Modulprozesstechnik an den Prozess zur Herstellung von
Hochfrequenzchips von Ericsson anzupassen.
    
    Ericsson Microelectronics stellt mikroelektronische Bauteile zum
Einbau in Telefon- und Datenverarbeitungsanlagen und in Mobiltelefone
her, von Komponenten für drahtlose Anwendungen, für breitbandige
Kommunikation und drahtgebundene Anschlüsse bis zu
Glasfaserverbindungen.
    
    Technischer Hintergrund
    
    Zur "Shallow Trench Isolation" STI sei Fachleuten aus einem
Artikel von Heinz Arnold in Markt und Technik zitiert (siehe
http://www.elektroniknet.de/fachthemen/bauelemente/artikel/mt9734a_2.
htm)  "Anstatt einfach Oxidschichten an den weggeätzten Stellen der
Nitridmaske wachsen zu lassen, startet dieser Prozess damit, Gräben
ins Substrat zu ätzen. Danach werden die Gräben mit Oxid gefüllt, es
schließen sich Rückätz-Prozesse und ein CMP-Schritt an."
    
    Zur "High Density Plasma Chemical Vapor Deposition" HDPCVD
schreibt er: "... eine Produktionsmethode, mit der sich die sehr
engen und hohen Gräben zwischen den Metallleitungen füllen lassen.
Eine Methode dafür ist schon lange bekannt: High Density Plasma
Chemical Vapor Deposition, kurz HDPCVD. ... Ein großer Vorteil dieser
Technik liegt darin, dass der Ätz- und der Abscheidungsprozess in
einer Kammer stattfinden, was zu erhöhtem Durchsatz und damit zu
niedrigeren Produktionskosten führt."
    
    Halbleiter-Wafer sind runde Scheiben (Wafer: Waffeln), auf denen
zugleich gleichartige Chips entstehen, die dann geprüft, ausgesägt
und in die bekannten käferartigen Plastikgehäuse eingeschweißt
werden.
    
    Weitere Informationen
    
    Die Originalpressemitteilung finden Sie auf
http://www.ericsson.se/pressroom/20000404-0137.html
    
    
    HINTERGRUND
    Ericsson ist der führende Anbieter in der neuen Welt der
Telekommunikation. Das Unternehmen stellt Lösungen für die Sprach-
und Datenkommunikation bereit, die sich mit den Anforderungen von
mobilen Anwendern verbinden lassen. Mit über 100.000 Mitarbeitern
vereinfacht Ericsson die Kommunikation seiner Kunden, zu denen
Netzbetreiber, Service Provider, Unternehmen und Verbraucher auf der
ganzen Welt gehören.
    
    
ots Originaltext: Ericsson GmbH
Im Internet recherchierbar: http://recherche.newsaktuell.de

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