Neueste Verfahren für Mobilfunk-Chips bei Ericsson: "Shallow Trench Isolation" (STI)
Zusammenarbeit mit "Applied Materials", der Welt größtem Halbleitermaschinenhersteller
Düsseldorf (ots)
Ericsson Microelectronics arbeitet mit Applied Materials, dem weltgrößten Hersteller von Halbleiter-Wafer-Maschinen, bei der Herstellung besonderer Isolationsstrukturen auf den 0,25- und 0,18-µm-Chips der Ericsson-Hochfrequenz-Bauteile zusammen. Hochfrequenz-Bauteile sind die eigentlichen Sender und Empfänger der Funksignale in einem Handy, im Gegensatz zum rechnergesteuerten Ablauf im Gerät.
Entwickelt wird eine Multisystem-Prozessmodul-Technik. Dabei führen vorab integrierte Systemgruppen eine Prozessfolge bei der Halbleiterherstellung aus. Die erzielten Isolationsstrukturen nutzen sogenannte "Shallow Trench Isolation" (STI); "seichte Gräben" trennen also die leitenden Elemente - die Transistoren - auf dem funkenden Chip. Die neue STI-Modulprozesstechnik wird mehrere Verfahren von Applied Materials in sich vereinen, so Silicon Etch DPS Plus Centura, Ultima DHP-CVD Centura und Mirra Mesa CMP (DPS: Decoupled Plasma Source; CMP: Chemical Mechanical Polishing; HDP-CVD: High Density Plasma Chemical Vapor Deposition).
Im Augenblick arbeiten die Prozessingenieure von Ericsson mit Applied Materials in Santa Clara, Kalifornien, zusammen, um die STI-Modulprozesstechnik an den Prozess zur Herstellung von Hochfrequenzchips von Ericsson anzupassen.
Ericsson Microelectronics stellt mikroelektronische Bauteile zum Einbau in Telefon- und Datenverarbeitungsanlagen und in Mobiltelefone her, von Komponenten für drahtlose Anwendungen, für breitbandige Kommunikation und drahtgebundene Anschlüsse bis zu Glasfaserverbindungen.
Technischer Hintergrund
Zur "Shallow Trench Isolation" STI sei Fachleuten aus einem Artikel von Heinz Arnold in Markt und Technik zitiert (siehe http://www.elektroniknet.de/fachthemen/bauelemente/artikel/mt9734a_2. htm) "Anstatt einfach Oxidschichten an den weggeätzten Stellen der Nitridmaske wachsen zu lassen, startet dieser Prozess damit, Gräben ins Substrat zu ätzen. Danach werden die Gräben mit Oxid gefüllt, es schließen sich Rückätz-Prozesse und ein CMP-Schritt an."
Zur "High Density Plasma Chemical Vapor Deposition" HDPCVD schreibt er: "... eine Produktionsmethode, mit der sich die sehr engen und hohen Gräben zwischen den Metallleitungen füllen lassen. Eine Methode dafür ist schon lange bekannt: High Density Plasma Chemical Vapor Deposition, kurz HDPCVD. ... Ein großer Vorteil dieser Technik liegt darin, dass der Ätz- und der Abscheidungsprozess in einer Kammer stattfinden, was zu erhöhtem Durchsatz und damit zu niedrigeren Produktionskosten führt."
Halbleiter-Wafer sind runde Scheiben (Wafer: Waffeln), auf denen zugleich gleichartige Chips entstehen, die dann geprüft, ausgesägt und in die bekannten käferartigen Plastikgehäuse eingeschweißt werden.
Weitere Informationen
Die Originalpressemitteilung finden Sie auf http://www.ericsson.se/pressroom/20000404-0137.html
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